消息称三星电子工艺曝光层数增加%以上未来节点有望超层

消息称三星电子工艺曝光层数增加%以上，未来节点有望超层

7月23日消息，韩媒TheElec本月17日报道称，三星电子预计于明年推出的2nm先进制程将较现有3nm工艺增加30%以上的EUV曝光层数，达“20~30的中后半段”。韩媒在报道中提到，根据产品性质的不同，即使同一节点曝光层数量也并非完全固定。不过总体来说，三星电子3nm工艺的平均EUV曝光层数量仅为20层；而在预计于2027年量产的SF1.4制程中，EUV曝光层的数量有望超越30层。▲ASML新一代0.33NAEUV光刻机NXE:3800E随着先进制程的演进，对晶体管尺寸的要求逐渐严苛。而在曝光层中用EUV光刻取...