消息称三星电子工艺曝光层数增加%以上，未来节点有望超层

7月23日消息，韩媒TheElec本月17日报道称，三星电子预计于明年推出的2nm先进制程将较现有3nm工艺增加30%以上的EUV曝光层数，达“20~30的中后半段”。

韩媒在报道中提到，根据产品性质的不同，即使同一节点曝光层数量也并非完全固定。不过总体来说，三星电子3nm工艺的平均EUV曝光层数量仅为20层；

而在预计于2027年量产的SF1.4制程中，EUV曝光层的数量有望超越30层。

▲ASML新一代0.33NAEUV光刻机NXE:3800E

随着先进制程的演进，对晶体管尺寸的要求逐渐严苛。而在曝光层中用EUV光刻取代传统DUV，可实现更高光刻精度，进一步提升晶体管密度，在单位面积中容纳更多的集成电路。

在此背景下，先进逻辑代工企业积极购进ASML的EUV机台。

以台积电为例，根据IT之家此前报道，其今明两年将总共接收超60台EUV光刻机。韩媒预估台积电到2025年底将拥有超160台EUV光刻机。

此外DRAM内存行业的EUV光刻用量也在提升：

在第六代20~10nm级工艺（即1cnm、1γnm）上，三星电子使用了6~7个EUV层，消息称三星电子工艺曝光层数增加%以上，未来节点有望超层SK海力士使用了5个EUV层，美光也在此节点首次导入了EUV光刻。

【来源：IT之家】