年原厂技术最新进展

年原厂技术最新进展

据TechInsights更新的2024年第二季内存技术路线图显示，三星和SK海力士已将D1a和D1b单元设计的产品商业化，包括DDR5、LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X，采用最小的12纳米级DRAM单元设计。两家公司都率先采用EUV光刻技术，年原厂技术最新进展而美光科技则继续采用基于ArF和ArFi的图案化技术直至其1α和1β代，并计划在1γ代中引入EUV。三星在D1a和D1b代中将EUV光刻扩展到五个或更多掩模。SK海力士遵循类似的EUVL策略，已在D1a和D1b代中采用该策略，并计划在未来几代中增...