北京智芯微取得电容隔离器及其制备方法专利提高了电容器耐压

  • 北京智芯微取得电容隔离器及其制备方法专利,提高了电容器耐压

    北京智芯微取得电容隔离器及其制备方法专利,提高了电容器耐压

    金融界2024年8月25日消息,天眼查知识产权信息显示,北京智芯微电子科技有限公司取得一项名为“电容隔离器及其制备方法“,授权公告号CN118315291B,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本发明提供一种电容隔离器及其制备方法,北京智芯微取得电容隔离器及其制备方法专利,提高了电容器耐压属于半导体制造技术领域。该电容隔离器制备方法包括:分别制备隔离电容芯片、发射机芯片和接收机芯片,发射机芯片和/或接收机芯片设置有硅通孔;将发射机芯片和接收机芯片分别与隔离电容芯片进行键合,得到电容隔离器。使电容器的耐压性能不再...

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