三星首款可穿戴芯片发布：性能提升%，采用封装

7月4日消息，虽然自研的3nm手机芯片Exynos2500似乎因为良率问题出现了推迟，但是近日三星电子通过其官网正式正式推出了旗下首款3nmGAA制程的可穿戴设备芯片ExynosW1000。

据介绍，ExynosW1000是三星首款采用3nmGAA先进工艺节点的处理器。得益于其制造工艺和封装方法，芯片的性能在保持小尺寸的同时提高，可以为设备提供更多的电池空间，从而延长续航。

为了更快地在应用程序之间切换，ExynosW1000采用了全新CPU架构，即一个1.6GHzCortex-A78高性能内核 四个1.5GHzCortex-A55效率内核，这也是三星首款使用大核心的可穿戴处理器，并且效率内核相比上代的ExynosW930也提升了一倍，可提供令人印象深刻的性能增幅。

三星表示，新架构带来了超出预期的性能，单核和多核基准测试分别显示出高达340%和370%的改进。这种性能增幅相比上代芯片可让用户以高达2.7倍的速度启动关键应用程序，并在多个应用程序之间流畅切换。

ExynosW1000配备了ArmMali-G68MP2GPU，可以支持qHD（960x540），640*640分辨率。2.5D常亮显示（AOD）引擎，可以用户带来增强的显示屏和具有丰富细节的表盘。对于用户的日常使用，AOD用户界面（UI）的每个元素都变得非常清晰且易于检查。

ExynosW1000集成了三星的LTECat.4调制解调器，最大下行速率150Mbps，三星首款可穿戴芯片发布：性能提升%，采用封装最大上行速率75Mbps，支撑GPS、GLONASS、北斗、伽利略等全球导航卫星系统（GNSS）。

此外，ExynosW1000还采用扇出式面板级封装(FOPLP)，以实现小尺寸和增强散热。同时它使用系统级封装(SiP)方法将电源管理IC(PMIC)集成在了SIP-ePoP封装当中，还使用嵌入式封装(ePoP)安装DRAM和NAND闪存，从而将各种组件集成到一个薄而紧凑的封装中。内存支持低功耗的LPDDR5内存，并支持高达32GB的eMMC板载存储，虽然其比UFS或NVMe慢，但它在可穿戴设备上占用的空间更小。

三星表示，ExynosW1000重新定义了对智能手表性能及充电频率的期望，可以让用户在更长时间地使用智能手表的同时享受卓越性能。

编辑：芯智讯-浪客剑