中图科技取得一种图形化复合衬底及其制备方法外延片专利，降低外延材料的生长难度，进而提升外延层的晶体质量

金融界2024年8月20日消息，天眼查知识产权信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种图形化复合衬底及其制备方法、LED外延片“，授权公告号CN117219710B，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种图形化复合衬底及其制备方法、LED外延片。制备方法包括：在蓝宝石衬底上依次形成异质层和掩膜层；对掩膜层进行图案化处理，形成掩膜图形；基于掩膜图形，采用干法刻蚀工艺对异质层进行图案化处理，在蓝宝石衬底上形成多个凸起结构；采用湿法刻蚀工艺对裸露的蓝宝石衬底进行刻蚀，中图科技取得一种图形化复合衬底及其制备方法外延片专利，降低外延材料的生长难度，进而提升外延层的晶体质量以在任意相邻两个凸起结构之间形成凹槽结构；凹槽结构的底面为蓝宝石衬底的C面，沿蓝宝石衬底指向凸起结构的方向，凹槽结构的侧壁向凹槽结构的中心倾斜。采用上方案，可兼顾图形化复合衬底的凸起结构底宽以及裸露的蓝宝石衬底C面面积，为外延材料的形核生长提供更多表面，降低外延材料的生长难度，进而提升外延层的晶体质量。