韦尔股份取得减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构专利，消除来自衬底串扰的电子和吸收暗电流

金融界2024年8月14日消息，天眼查知识产权信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司取得一项名为“一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构“，授权公告号CN112530986B，申请日期为2020年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构，韦尔股份取得减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构专利，消除来自衬底串扰的电子和吸收暗电流包括置于半导体基体中的感光元件、浅槽隔离、浅槽隔离区的复合注入层、介质层、接触孔以及置于正面绝缘介质中的金属互连线。在相邻的感光器件之间的浅槽隔离区形成一层复合注入层，复合注入层包含高浓度低能量N型掺杂、低浓度高能量N型多步掺杂以及低浓度中能量P型多步掺杂，复合注入层形成有效的浓度梯度并通过接触孔连接到外部偏压或电源上，复合注入层通过外部偏压形成的电场并在此电场的驱动下，不仅消除了来自衬底串扰的电子，而且也吸收了在浅槽隔离与硅基界面所产生的暗电流。