石大胜华申请一种硅碳复合材料的制备方法及其硅碳复合材料和应用专利，可有效降低充放电过程中硅的膨胀

金融界2024年8月14日消息，天眼查知识产权信息显示，胜华新材料科技（眉山）有限公司、胜华新材料科技（连江）有限公司、胜华新材料集团股份有限公司申请一项名为“一种硅碳复合材料的制备方法及其硅碳复合材料和应用“，公开号CN202410563940.5，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本发明公开了一种硅碳复合材料的制备方法及其硅碳复合材料和应用，在多孔偏铝酸锂上直接沉积纳米硅，然后再沉积碳层，其中，多孔偏铝酸锂的制备方法包括如下操作步骤：步骤S1）、准备有机铝盐、有机溶剂和有机碱，将其进行分散均匀后转移到高压反应釜中，反应至少1小时，经过滤、真空干燥后烧结1‑6小时,得到多孔氧化铝；步骤S2）、向锂溶液中添加多孔氧化铝，石大胜华申请一种硅碳复合材料的制备方法及其硅碳复合材料和应用专利，可有效降低充放电过程中硅的膨胀反应至少10小时；本申请制得的特定多孔偏铝酸锂具有令人惊喜的高离子导电率特性，同时可直接替代当前技术采用的多孔碳，通过在多孔偏铝酸锂中沉积纳米硅，可有效降低充放电过程中硅的膨胀，并进一步提升硅碳复合材料的离子导电率，改善硅碳复合内核的扩散系数。